机译:具有Ti和Cr中间层的铁质基底上的微波等离子体化学气相沉积金刚石成核
机译:通过在ECR等离子体化学气相沉积中施加衬底偏压来增强金刚石成核
机译:通过微波等离子体化学气相沉积在预处理的Si(001)衬底上生长的金刚石膜的阴极发光
机译:用微波兴奋等离子体增强物理气相沉积产生的黑色反面对氢化金刚石样碳膜的呋喃胺形成的影响
机译:氮对微波等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜生长的影响
机译:微波等离子体化学气相沉积掺氮钻石。 II:CH4 / N2 / H2等离子
机译:关于在金刚石薄膜到WC-Co基板上的热丝化学气相沉积(HF-CVD)中使用CrN / Cr和CrN中间层
机译:使用Inline mW RpECVD(microWave远程等离子体增强化学气相沉积)系统进行连续siN(sub x)等离子体处理